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用于集成电路仿真和设计的FinFET建模--基于BSIM-CMG标准/微电子与集成电路先进技术丛书
所属分类:
电子电脑
>>
电工无线电自动化
>>
无线电电子.电讯
作者:
(印度)尤盖希·辛格·楚罕//(美)达森·杜安·
卢
//(印度)史利南库马尔·维努戈帕兰//苏拉布·坎德瓦尔//(美)胡安·帕布鲁·杜阿尔特等|责编:江婧婧//翟天睿|译者:陈铖颖//张宏怡//荆有波
出版社:
机械工业
丛书项:
微电子与集成电路先进技术丛书
随着集成电路工艺特 征尺寸进入28nm以下节 点,传统的平面MOSFET 结构已不再适用,新型的 三维晶体管(FinFET)结 构逐渐成为摩尔定律得以 延续的重要保证。本书从 三维结构的原理、物理效 应入手,详细讨论了 FinFET紧凑模型(BSIM -CMG)产生的背景、原 理、参数以及实现方法; 同时讨论了在模拟和射频 集成电路设计中所采用的 仿真模型。本书避开了繁 杂的公式推导,而进行了 更为直接的机理分析,力 求使得读者从工艺、器件 层面理解BSIM-CMG的 特点和使用方法。 本书可以作为微电子 学与固体电子学、电子信 息工程等专业高年级本科 生、研究生的专业教材和 教师参考用书,也可以作 为工程师进行集成电路仿 真的FinFET模型手册。
售价:
39.60
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